[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980007106.5 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111527611A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 福崎勇三;福元康司 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具有这样的结构，即，将N个栅电极层G和(N‑1)个沟道形成区域层CH(其中，N≥3)交替并置在基底的绝缘材料层61上，在基底中，绝缘材料层61形成在导电基板60的表面上。结构、沟道形成区域层CH、以及栅电极层G中的每一者具有底表面、顶表面以及四个侧表面。第n个沟道形成区域层的第二表面32和第四表面34分别接触于第n个栅电极层的第四表面24和第(n+1)个栅电极层的第二表面22。第奇数个栅电极层与第偶数个栅电极层中之一连接至第一接触部分并且另一个连接至第二接触部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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