[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201980004079.6 申请日: 2019-02-05
公开(公告)号: CN111052510B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 丸山力宏;宫越仁隆;早乙女全纪;安达和哉;横山岳 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01R4/02 分类号: H01R4/02;B23K1/00;B23K1/20;H01L23/12;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 杨敏;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 能够防止接合构件在接触部件的中空孔中爬升。半导体装置(10)具有层叠基板(14)和接触部件(17),层叠基板(14)具备电路板(13a)和形成有电路板(13a)的绝缘板(11),接触部件(17)在内部形成有筒状的中空孔(17f)且其开口端部(17f2)介由接合构件(19)而与电路板(13a)的正面的接合区(A2)接合。而且,在这样的半导体装置(10)中,接触部件(17)的与接合构件(19)的接触区(A1)的对接合构件(19)的润湿性与电路板(13a)的至少接合区(A2)的对接合构件(19)的润湿性大致相等。因此,能够抑制因将接触部件(17)与电路板(13a)接合时的加热导致的接合构件(19)在接触部件(17)的中空孔(17f)中的爬升。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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