[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法与薄膜晶体管阵列在审
| 申请号： | 201980002780.4 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110998857A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李刘中;林子平 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/786;H01L21/445;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法与薄膜晶体管阵列，包括：基底层；位于基底层上的缓冲层；位于缓冲层上彼此隔开的源极和漏极；位于源极、漏极以及源极与漏极之间缓冲层上的金属氧化物半导体层；位于源极、漏极、金属氧化物半导体层以及缓冲层上的第一绝缘层；其中，第一绝缘层由有机材料和分散在有机材料中的金属氧化物纳米颗粒组成；位于第一绝缘层上的栅极。本申请通过以有机材料及分散在有机材料中的金属氧化物纳米颗粒作为第一绝缘层，在提高第一绝缘层介电常数的同时降低薄膜晶体管的制作成本；通过在第一绝缘层中添加感光材料，不需要通过传统的光刻胶与光刻胶剥离制作图案，简化了薄膜晶体管的制作工艺，降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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