[发明专利]一种磊晶结构及其制备方法、LED有效
| 申请号： | 201980002001.0 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111316452B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磊晶结构及其制备方法、LED，所述磊晶结构包括：依次设置的蓝宝石衬底、GaN层、缺陷暴露层、缺陷终止层。在蓝宝石衬底上制备缓冲层(GaN层)之后，本发明通过缺陷暴露层，将缓冲层中的缺陷扩大，并暴露出来，然后通过缺陷终止层改变缺陷的方向，终止缺陷继续扩大。因此，在缺陷终止层上继续制备后续层时，后续层不会在缓冲层的缺陷的基础上形成更大的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制备 方法 led | ||
【主权项】：
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