[发明专利]一种LED芯粒及LED芯片的隐形切割方法在审
| 申请号： | 201980000538.3 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110291627A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈功;林素慧;许圣贤;彭康伟;洪灵愿;何敏游;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 何建华 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及LED芯片技术领域，特别地涉及一种LED芯粒及LED芯片的隐形切割方法。本发明公开了一种LED芯粒，所述LED芯粒的衬底的侧面沿衬底的厚度方向具有多条间隔的激光划痕，所述激光划痕数量在3条以上，所述衬底的侧面沿衬底的厚度方向依次高低起伏设置。同时本发明公开了一种LED芯片的隐形切割方法，包括步骤S1，采用隐形切割在对应于切割道的衬底内部形成多条沿衬底厚度方向的间隔的激光划痕，所述激光划痕数量在3条以上。本发明能有效提升芯粒切割成品率，并减少衬底斜裂现象，可以缩小切割道线宽，从而提升单片产出量，增加侧面光的取出，减小发光角度，增加正向光，从而增加芯粒亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 激光划痕 隐形切割 切割道 芯粒 衬底厚度方向 高低起伏 侧面 侧面光 成品率 正向光 单片 减小 线宽 切割 发光 取出 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯粒，其特征在于：所述LED芯粒的衬底的侧面沿衬底的厚度方向具有多条间隔的激光划痕，所述激光划痕数量在3条以上，所述衬底的侧面沿衬底的厚度方向依次高低起伏设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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