[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201980000226.2 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110972508B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王治;袁广才;关峰;许晨;王学勇;杜建华;李超;陈蕾 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;刘薇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管包括：衬底；在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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