[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；

在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述栅极介质层位于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧上，所述栅极电极位于所述栅极介质层的远离所述衬底的一侧上，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧的第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；

位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性；

位于所述衬底上的源/漏极电极，其中，所述第二半导体层的远离所述衬底的表面与所述第二部分的朝向所述衬底的表面接触，并且其中，所述第二半导体层的朝向所述衬底的表面与所述源/漏极电极的远离所述衬底的表面接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二部分在所述第二半导体层与所述第二部分的远离所述衬底的表面接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型为N型，所述第二半导体层的N型载流子浓度大于所述第一半导体层的N型载流子浓度。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型为P型，所述第二半导体层的P型载流子浓度大于所述第一半导体层的P型载流子浓度。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述第一半导体层的掺杂浓度在10¹⁷ions/cm³～10¹⁹ions/cm³之间，所述第二半导体层的掺杂浓度在在10¹⁹ions/cm³～10²¹ions/cm³之间。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述多晶半导体材料包括多晶硅，所述非晶半导体材料包括非晶硅。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

在衬底上依次形成第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述栅极介质层位于所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧上，所述栅极电极位于所述栅极介质层的远离所述衬底的一侧上，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧的第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；

形成位于所述源/漏极区域中且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性；

形成位于所述衬底上的源/漏极电极，其中所述第二半导体层的远离所述衬底的表面与所述第二部分的朝向所述衬底的表面接触，并且其中，所述第二半导体层的朝向所述衬底的表面与所述源/漏极电极的远离所述衬底的表面接触。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，形成所述第一半导体层包括：

形成包括所述非晶半导体材料的第一半导体材料层，所述第一半导体材料层包括作为所述第一部分的中间部分以及作为所述第二部分的位于所述中间部分两侧的边缘部分；

将所述第一半导体材料层的所述中间部分的与所述第二子部分对应的部分转变为所述多晶半导体材料。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述转变 包括对所述非晶半导体材料进行激光退火。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述激光退火包括采用微透镜阵列掩模。