[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法

说明书

本公开涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管包括：衬底；在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。

技术领域

本公开涉及显示技术领域。具体地，涉及一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管被广泛应用于显示技术领域。薄膜晶体管可以驱动显示装置的像素。设置有薄膜晶体管的显示装置可以具有高速度、高亮度和高对比度等优势。

公开内容

本公开的实施例提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：衬底；

在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；

位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。

在一些实施例中，所述第二半导体层与所述第二部分的朝向所述衬底的表面接触。

在一些实施例中，所述第二部分在所述第二半导体层与所述第二部分的远离所述衬底的表面接触。

在一些实施例中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型为N型，所述第二半导体层的N型载流子浓度大于所述第一半导体层的N型载流子浓度。

在一些实施例中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型为P型，所述第二半导体层的P型载流子浓度大于所述第一半导体层的P型载流子浓度。

在一些实施例中，所述第一半导体层的掺杂浓度在10¹⁷ions/cm³～10¹⁹ions/cm³之间，所述第二半导体层的掺杂浓度在在10¹⁹ions/cm³～10²¹ions/cm³之间。

在一些实施例中，所述多晶半导体材料包括多晶硅，所述非晶半导体材料包括非晶硅。

在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括位于所述第二半导体层的背离所述第二部分的一侧上的源/漏极电极。

本公开的实施例还提供了一种薄膜晶体管的制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底上依次形成第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧的第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；

形成位于所述源/漏极区域中且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。

在一些实施例中，形成所述第一半导体层包括：

形成包括所述非晶半导体材料的第一半导体材料层，所述第一半导体材料层包括作为所述第一部分的中间部分以及作为所述第二部分的位于所述中间部分两侧的边缘部分；