[实用新型]一种平面VDMOS器件有效
| 申请号： | 201922486621.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211455694U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀;王代利;刘中旺;冷静;张鹏程;檀春健 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种平面VDMOS器件，通过未进行电性连接的悬浮栅结构，实现了米勒电容的大大降低，同时也避免了一致性及可靠性问题。在没有任何成本增加的前提下，提高了器件的开关速度，改善器件的动态特性，使得器件在应用中的效率更高；而且，在实际应用中，还可以在一个固有的平台上根据应用的需求，调整栅刻蚀的版图，以实现不同开关速度的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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