[实用新型]一种MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201922339228.4 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN210893522U | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 刘同庆 | 申请（专利权）人： | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L19/00 | 分类号： | G01L19/00;G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市滨湖区建*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉提供了一种MEMS压力传感器，该传感器包括：衬底硅片、固定连接于衬底硅片上的结构硅片，结构硅片对应于与衬底硅片相接触的表面上对称设有两个真空腔，真空腔之间通过微机械加工形成凸起结构，位于凸起结构一侧的硅片形成第一支撑结构，位于凸起结构另一侧的硅片形成第二支撑结构，凸起结构与第一支撑结构之间、凸起结构与第二支撑结构之间形成应变硅膜，多个应变电阻对称设置于应变硅膜与第一支撑结构、所在第二支撑结构、凸起结构的连接应力集中区域。上述传感器通过改进应变膜的结构来形成对称分布的拉应力和压应力集中区域，能够有效抑制非线性误差，进而提高传感器灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力传感器 | ||
【主权项】：
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