[实用新型]一种MEMS压力传感器

权利要求书

1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，所述传感器包括：衬底硅片、固定连接于所述衬底硅片上的结构硅片，所述结构硅片对应于与所述衬底硅片相接触的表面上对称设有两个真空腔，所述真空腔之间通过微机械加工形成凸起结构，位于所述凸起结构一侧的硅片形成第一支撑结构，位于所述凸起结构另一侧的硅片形成第二支撑结构，所述凸起结构与所述第一支撑结构之间、所述凸起结构与所述第二支撑结构之间形成应变硅膜，多个应变电阻对称设置于所述应变硅膜与所述第一支撑结构、所在第二支撑结构、所述凸起结构的连接应力集中区域，所述结构硅片对应于设置所述应变电阻的表面上分别依次设置有氧化层及绝缘介质层，所述绝缘介质层上设有电极，所述电极分别穿过所述绝缘介质层、氧化层后与所述应变电阻电性连接。

2.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述结构硅片的厚度范围为300微米到1000微米，所述应变硅膜的厚度在30微米到100微米之间。

3.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述凸起结构的横截面形状为梯形或者矩形。

4.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述应变电阻沿着所述凸起结构的中心轴对称设置。

5.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述应变电阻设置于所述结构硅片上部的容置凹槽中。

6.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述绝缘介质层上设置有接触孔，所述电极穿过所述接触孔与所述应变电阻电性连接。

7.如权利要求1所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述应变电阻与所述结构硅片、所述结构硅片与所述衬底硅片之间设置有绝缘层。

8.如权利要求7所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅膜和/或氮化硅膜或两者的复合膜。

9.如权利要求7所述的MEMS压力传感器，其特征在于，所述绝缘层的厚度范围为100纳米到1000纳米。