[实用新型]硅片导片装置有效
申请号: | 201922216940.5 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN210926049U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 张美荣 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 卢春燕 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅片导片装置,硅片导向装置包括:底座,第一推拉机构、缓冲花篮、目标花篮和第二推拉机构,第一推拉机构、缓冲花篮、目标花篮和第二推拉机构沿导片方向依次设置于底座,第一推拉机构和第二推拉机构在底座上沿导片方向可移动;其中,缓冲花篮构造有沿导片方向延伸的缓冲插槽,目标花篮构造有沿导片方向间隔设置第一目标插槽和第二目标插槽,第二推拉机构具有延伸杆,第二推拉机构向目标花篮移动至预定位置时,延伸杆搭接于第一目标插槽和第二目标插槽。根据本实用新型实施例的硅片导片装置能够对硅片实现反向导片,且具有避免污染,提高工作的时效性等优点。 | ||
搜索关键词: | 硅片 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的