[实用新型]IGBT器件结构有效
| 申请号： | 201922185643.9 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN210984734U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 温世达;陶少勇;吕磊;曹新明 | 申请（专利权）人： | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT器件结构，包括半导体衬底、沟槽区、栅氧化层、发射极电极、绝缘介质层、N+发射极区、N型基区、N型场终止区、P型基区、P+深阱区、P型集电极区、集电极以及形成于所述半导体衬底正面和所述沟槽区内的复合栅电极，复合栅电极是由平面栅极与沟槽栅极相结合构成。本实用新型的IGBT器件结构，采用复合栅电极，增大了元胞导通时的沟道长度，也就增大器件导通时的沟道电阻，从而降低了IGBT器件结构的饱和电流，增强了IGBT器件的短路能力；同时也增大了元胞间距，使之获得较低的饱和电流密度，从而进一步增强IGBT器件结构的抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
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