[实用新型]一种快恢复二极管有效

专利信息
申请号: 201922050171.6 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN211088282U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 曾丹;刘勇强;史波;肖婷 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H01L29/868 分类号: H01L29/868;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 韩来兵
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种快恢复二极管,涉及半导体技术领域。其中,快恢复二极管包括:晶圆;设置于所述晶圆上的元胞区,所述元胞区包括第一离子部和第二离子部,所述第一离子部沿预设方向间隔分布,相邻两个所述第一离子部之间设置有所述第二离子部。本申请在元胞区设置有第一离子部及第二离子部,其中,第一离子部与第二离子部可以为浓度不同的掺杂离子类型,形成第一离子部与第二离子部相间分布的主结区域,由此可兼顾第一离子部离子浓度下快恢复二极管的优势、第二离子部浓度下快恢复二极管的优势,有效改善快恢复二极管的性能。
搜索关键词: 一种 恢复 二极管
【主权项】:
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