[实用新型]一种快恢复二极管

权利要求书

1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：

晶圆(1)；

设置于所述晶圆(1)上的元胞区(3)，所述元胞区(3)包括第一离子部(31)和第二离子部(32)，所述第一离子部(31)沿预设方向间隔分布，相邻两个所述第一离子部(31)之间设置有所述第二离子部(32)。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述晶圆(1)包括：衬底层(11)及在所述衬底层(11)表面形成的外延层，所述外延层远离所述衬底层(11)的一侧形成有所述元胞区(3)，且所述元胞区(3)沿所述外延层到所述衬底层(11)的方向延伸。

3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，相邻两个所述第一离子部(31)之间的所述外延层表面设置有弧形槽，所述弧形槽内设置有所述第二离子部(32)。

4.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一离子部(31)延伸的距离大于所述第二离子部(32)延伸距离。

5.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一离子部(31)包括重掺杂P型离子，所述第二离子部(32)包括轻掺杂P型离子。

6.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述外延层包括依次设置于所述衬底层(11)表面的第一外延层(12)及第二外延层(13)，所述元胞区(3)制作于所述第二外延层(13)上。