[实用新型]场效晶体管结构有效
| 申请号： | 201921978963.3 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN210692544U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 廖昱程;刘峻志 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京先进知识产权代理有限公司 11648 | 代理人： | 邵劲草;张雪竹 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种场效晶体管结构，包含基板、源极汲极部、介电层、闸极以及闸极。源极汲极部形成于基板上，并且源极汲极部包含源极与汲极。介电层与源极汲极部形成于同一层并电性隔离源极与汲极。闸极构成与源极汲极部位于不同层。闸极构成包含闸极导电层以及闸极绝缘层，闸极导电层形成于介电层上，且闸极绝缘层形成于闸极导电层上并包覆闸极导电层。半导体层形成于闸极绝缘层上并包覆该闸极绝缘层。闸极构成介于介电层与半导体层之间。源极汲极部耦接于半导体层，且通过施加电压于闸极导电层，以于半导体层中形成通道。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
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