[实用新型]用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路及测试条件可控装置及测试系统有效

专利信息
申请号: 201921929776.6 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN211697983U 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 刘扬;王自鑫;王帅兵;蔡英明;黄伟昊 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G01R27/08 分类号: G01R27/08;H02H9/04
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 张玲春
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路及测试条件可控装置及测试系统。该电压钳位电路包括:高压阻断子电路、稳压子电路、防振荡子电路、滤波子电路和FPGA主控电路,具有低测量延时的特点。本实用新型还公开了一种用于测试氮化镓HEMT动态电阻的测试条件可控装置,包括用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路、电压应力控制电路、电流控制电路、开关模式控制电路、封装温度控制电路,在满足检测延时大大降低的前提下,还能够对检测过程中各种因素进行控制,为检测动态电阻的准确性提供保障。本实用新型还公开了一种用于测试氮化镓HEMT动态电阻的测试系统,能够为检测动态电阻还原真实的应用环境,从而完成对动态电阻的准确性观测。
搜索关键词: 用于 测试 氮化 hemt 动态 电阻 电压 电路 条件 可控 装置 系统
【主权项】:
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