[实用新型]用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路及测试条件可控装置及测试系统

权利要求书

1.一种用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路，其特征在于，包括：

高压阻断子电路，与待测氮化镓HEMT串联，用于阻断所述待测氮化镓HEMT在关断状态下的漏源电压；

稳压子电路，与所述高压阻断子电路串联，用于消除开关瞬变过程中钳位电压出现的尖峰；

防振荡子电路，与所述稳压子电路并联，用于限制开关噪声带来的钳位电压振荡；

滤波子电路，与所述稳压子电路并联，用于滤除整个电路在开关过程中产生的高频噪声；

FPGA主控电路，与所述高压阻断子电路连接，通过输出预设精度的驱动信号以提高所述高压阻断子电路的开关时间，进而降低测量过程中的延时，同时通过所述滤波子电路将通带截止频率设定在上升沿频率附近，以抑制开关瞬变过程中的谐波，并且所述防振荡子电路抑制钳位电压尖峰的出现，实现短时间内对氮化镓HEMT的动态电阻的漏源电压钳位在预定范围。

2.如权利要求1所述的用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路，其特征在于：

所述高压阻断子电路具体为氮化镓高速开关管Q2，并且其栅极通过开关管驱动芯片和栅极驱动电阻驱动。

3.如权利要求1所述的用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路，其特征在于：

所述防振荡子电路具体包括第一肖特基二极管D1、第二肖特基二极管D2、第三肖特基二极管D3和第四肖特基二极管D4；

所述第一肖特基二极管D1与第二肖特基二极管D2同向串联，形成第一支路；

所述第三肖特基二极管D3与第四肖特基二极管D4同向串联，形成第二支路；

所述第一支路与所述第二支路反向并联。

4.如权利要求1所述的用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路，其特征在于：

所述稳压子电路包括串联的稳压管ZD1和电阻R3。

5.一种用于测试氮化镓HEMT动态电阻的测试条件可控装置，其特征在于，包括：

权利要求1-4任意一项所述的用于测试氮化镓HEMT动态电阻的电压钳位电路，并联在待测氮化镓HEMT的源极与漏极之间，用于在短时间内将待测氮化镓HEMT在关断状态下的漏源电压钳位在预定范围；

电压应力控制电路，并联在待测氮化镓HEMT的漏极与参考地之间，用于对电压应力的大小和施加时间的控制；

电流控制电路，并联在待测氮化镓HEMT的漏极与参考地之间，用于对电流应力大小的控制；

开关模式控制电路，并联在待测氮化镓HEMT的漏极与参考地之间，用于对软硬开关模式的切换；

封装温度控制电路，与待测氮化镓HEMT的栅极连接，用于对待测氮化镓HEMT的封装表面温度的检测与控制；

在FPGA主控电路的作用下，所述电压应力控制电阻通过程控高压直流源控制电压大小，通过其内部半桥子电路实现应力时间的控制，为待测氮化镓HEMT提供期望的电压应力条件；所述电流控制电路通过开关管调控电流应力大小，待电流应力达到期望值之后，通过打开控制开关管接入电流应力；所述开关模式控制电路通过控制两个电子开关的通断，选择是否接入谐振电感，从而对所述待测氮化镓HEMT实现ZVS零电压软开模式；所述封装温度控制电路，通过热电偶检测待测氮化镓HEMT的表面温度，并反馈给加热器，以实现对测试封装温度的控制。

6.如权利要求5所述的用于测试氮化镓HEMT动态电阻的测试条件可控装置，其特征在于：

所述电压应力控制电路包括高压直流源DC、第一电解电容C2、第二电解电容C3、第一开关管Q3和第二开关管Q4；

所述第一电解电容C2和第二电解电容C3分别与所述高压直流源DC并联；

所述第一开关管Q3和第二开关管Q4串联组成半桥结构，并与所述高压直流源DC并联。