[实用新型]一种DRAM存储芯片三维集成封装结构有效
| 申请号： | 201921834263.7 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN210379016U | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王成迁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种DRAM存储芯片三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述DRAM存储芯片三维集成封装结构包括依次键合的顶层、若干个中间层和底层；其中，底层包括塑封的TSV转接芯片和存储芯片，底层正面形成有n层重布线和凸点，背面制作有粘结层；中间层包括塑封的TSV转接芯片和存储芯片，中间层正面形成有n层重布线和凸点，与底层背面键合；顶层包括塑封的存储芯片，顶层正面形成有n层重布线和凸点，与中间层背面键合。本实用新型通过TSV转接芯片完成每层间的垂直互连，用底填料填充凸点缝隙，增强封装结构强度；使用TSV转接芯片和存储芯片扇出，完成多芯片三维堆叠，其封装成本低，封装效率和良率高，能够适合大规模量产使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dram 存储 芯片 三维 集成 封装 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
