[实用新型]一种新型功率MOS模组结构有效
| 申请号： | 201921815839.5 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN210403701U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 周文定 | 申请（专利权）人： | 成都赛力康电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L25/07 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 许志辉 |
| 地址： | 610213 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型功率MOS模组结构，包括双面覆有铜箔的DBC板，所述DBC板上还设置有两组功率MOS模组，每组功率MOS模组集成了至少2个并联成排的MOS管，每组功率MOS模组的MOS管源极共同连接到一个DBC板上的源极输出端铜箔和1个源极控制端铜箔，漏极连接到DBC板上的漏极输入端铜箔，并且漏极输入端铜箔上还引出有控制端子，栅极与栅极控制端铜箔连接，每组功率MOS模组的漏极输入端铜箔和源极输出端铜箔上还焊接有主端子。本实用新型布局紧凑，集成度高，体积小，有效降低电压和电流的尖峰对整个电路的影响，防止器件烧坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功率 mos 模组 结构 | ||
【主权项】：
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