[实用新型]半导体器件及其电接触结构

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件及其电接触结构，通过使得形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，来在核心元件区的边界处形成顶部横截面积较大的组合接触结构，由此，为后续在核心元件区的边界处的接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量，使得该边界处的所述电学结构的尺寸增大，降低接触阻抗，且通过该边界处尺寸增大的所述电学结构的，缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异，改善光学邻近效应，保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性，并防止所述边界处的接触插塞上方的电学结构出现坍塌，提高器件性能。