[实用新型]一种中间液相冷却双面焊接芯片的IGBT封装结构有效
| 申请号： | 201921595031.0 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN210403710U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 马文珍 | 申请（专利权）人： | 佛山华智新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种中间液相冷却双面焊接芯片的IGBT封装结构，封装结构包括上下覆铜陶瓷基板DBC001，热沉材料壳体002，散热柱体003，进水口004和出水口005,所述上下覆铜陶瓷基板DBC001上焊接有IGBT芯片，所述热沉材料壳体002是上下两个板材加工后焊接而成，所述上下覆铜陶瓷基板DBC001与热沉材料壳体002之间通过纳米银焊膏006相连，所述散热柱体003与热沉材料壳体002为一体加工得到的，所述热沉材料壳体002内部由进水口进出水口出流动有冷却液体。所述IGBT封装结构，能保证双面焊接芯片的同时，具有超强的散热能力，能满足具有更高封装功率密度的要求，降低水冷成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中间 冷却 双面 焊接 芯片 igbt 封装 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山华智新材料有限公司，未经佛山华智新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921595031.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光装置和投影显示装置
- 下一篇：一种激光器芯片散热用的微通道结构
