[实用新型]基于全变差正则化法的硅片电阻率测量装置及系统有效
| 申请号： | 201921545528.1 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN210775661U | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘新福;李倩文;王梦丹;吴鹏飞;葛帅;张剑军 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14;G01R1/04;G06T7/12 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 张国荣 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种基于全变差正则化法的硅片电阻率测量装置及系统，采用了可移动式的上、下电极圆盘和可升降的测试台，提供八个电极或者十六个电极两种选择模式，可以减少电极的数量使自动化程度提高。将硅片放在测试台上后，不需手动放置电极和调整电极位置，减少了人为误差。相较于四探针测试仪的探针方式，本实用新型测量装置结构简单，测量方便，能很好地应用到工业硅片的检测中。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 全变差 正则 硅片 电阻率 测量 装置 系统 | ||
【主权项】：
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