[实用新型]一种集成高性能的LDMOS结构有效
| 申请号： | 201921535640.7 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN210110783U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 范捷;万立宏;王绍荣 | 申请（专利权）人： | 江苏丽隽功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214067 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成高性能的LDMOS结构，涉及半导体技术领域，该高性能的LDMOS结构在漂移区内引入了变掺杂的P型补偿注入区，P型补偿注入区的尺寸沿着P型阱区至N型阱区的方向依次减小，且P型补偿注入区靠近P型阱区的一侧不超出所在侧的场氧化层的鸟嘴结构，可以显著降低场氧化层下方靠近P型阱区一侧的N型外延层的浓度，使得此区域更容易耗尽，而且不会对沟道造成影响，同时P型补偿注入区为间隔结构，两组P型补偿注入区之间的区域仍然为传统的漂移区，引入的P型补偿注入区不会影响到器件的导通电阻，相同源漏反偏电压下的耗尽区面积更大，从而可以获得更好的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 性能 ldmos 结构 | ||
【主权项】：
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