[实用新型]一种集成高性能的LDMOS结构

权利要求书

1.一种集成高性能的LDMOS结构，其特征在于，所述集成高性能的LDMOS结构包括：P型衬底，所述P型衬底上表面生长有N型外延层，所述P型衬底和所述N型外延层的交界面设有P型埋层，所述N型外延层中设有P型阱区和N型阱区，所述P型阱区和所述N型阱区之间的所述N型外延层构成漂移区，所述P型阱区和所述P型埋层连接；所述P型阱区内设有N型重掺杂区形成源区，所述P型阱区内还设有P型重掺杂区形成体区，所述N型阱区内设有N型重掺杂区形成漏区；所述漂移区内间隔设有若干个P型补偿注入区，每个所述P型补偿注入区的尺寸沿着所述P型阱区至所述N型阱区的方向依次减小；所述N型外延层的表面设有场氧化层，所述场氧化层的两侧呈鸟嘴结构，所述P型补偿注入区位于所述场氧化层的下方，且所述P型补偿注入区靠近所述P型阱区的一侧不超出所在侧的所述场氧化层的鸟嘴结构；所述场氧化层表面设有覆盖所述场氧化层部分区域的栅氧化层，所述场氧化层表面设有介质层；所述源区和所述体区通过金属引出源极，所述漏区通过金属引出漏极，所述栅氧化层通过金属引出栅极。

2.根据权利要求1所述的LDMOS结构，其特征在于，每个所述P型补偿注入区的注入宽度和注入深度分别沿着所述P型阱区至所述N型阱区的方向依次减小。

3.根据权利要求1所述的LDMOS结构，其特征在于，所述P型补偿注入区注入有B离子，浓度在5E10-5E11/cm³范围内。

4.根据权利要求1-3任一所述的LDMOS结构，其特征在于，所述P型衬底的电阻率在10-100ohm.cm的范围内，所述P型埋层的离子注入剂量为5E12-5E13/cm²。

5.根据权利要求1-3任一所述的LDMOS结构，其特征在于，所述N型外延层的厚度在3-10μm范围内、电阻率在0.5-10ohm.cm范围内。