[实用新型]一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片有效
| 申请号： | 201921456831.4 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN210467853U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区49区河*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种耐高压屏蔽栅功率MOSFET芯片，包括N+衬底、N‑型基区、P型基区，N+集电区，源极电极、二氧化硅绝缘层、漏极电极，屏蔽栅设置在两个P型基区之间深入N‑型基区内部，上述屏蔽栅覆盖沟槽薄氧，上述沟槽薄氧内部设置有栅极多晶硅、连栅极多晶硅；在两个P型基区的外侧各有一个贯穿二氧化硅绝缘层抵达P型基区表面的源极电极凸起，上述源极电极凸起下方垂直设置贯穿P型基区抵达N‑型基区内部的连源极多晶硅，上述连源极多晶硅覆盖有沟槽厚氧；上述沟槽厚氧、沟槽薄氧底部设置P+型基区。有益效果是可以提高器件击穿电压、降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 屏蔽 功率 mosfet 芯片 | ||
【主权项】：
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