[实用新型]三维存储结构

摘要

本实用新型提供了一种三维存储结构。该三维存储结构中堆叠结构的至少一侧具有台阶区域，台阶区域远离衬底的一侧覆盖有介质层，且上述三维存储结构还包括多个伪沟道孔和多个接触孔，由于上述三维存储结构中对伪沟道孔在台阶区域中的面积占比进行优化，相比于现有技术，提高了伪沟道孔在台阶区域中的密度，从而在伪沟道孔的形成工艺中刻蚀材料在伪沟道孔中的堆积，进而减少或避免了刻蚀不足的问题的产生；同时，通过对伪沟道孔的中心与接触孔的中心之间距离进行优化，相比于现有技术，保证了相邻伪沟道孔之间的有效面积，从而保证了接触孔能够具有足够的工艺窗口，避免了衬底与接触孔的接触电阻的提高，进而提高了三维存储结构的性能。