[实用新型]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201921177905.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN210245537U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 韩权威;汪学鹏;隗彪;陈亭玉;李烨;郭师宇;晋沙沙;戴志祥;孙旭;张家豪 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底100、层叠于衬底100之上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，以及分别与P型半导体层和N型半导体层电性连接的P电极和N电极，所述P电极和N电极位于衬底100的同一侧，所述P电极包括焊接区和指状结构，其特征在于：所述衬底和发光层之间有与N电极连接的N扩展条。本实用新型通过在衬底和发光层之间设置与N电极连接的N扩展条，增大外延层发光面积，促进电流扩展，改善电流拥挤效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
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