[实用新型]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括衬底、层叠于衬底之上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，以及分别与P型半导体层和N型半导体层电性连接的P电极和N电极，所述P电极和N电极位于衬底的同一侧，所述P电极包括焊接区和指状结构，其特征在于：所述衬底和发光层之间有与N电极连接的N扩展条。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N扩展条为金属或金属氧化物N扩展条。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N扩展条设置于衬底和N型层之间，刻蚀P型半导体层至衬底表面形成孔洞，N电极置于孔洞内，N扩展条与N电极连接。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N扩展条设置于N型层中间，刻蚀P型半导体层至N型层中间形成孔洞，N电极置于孔洞内，N扩展条与N电极连接。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N扩展条设置于N型层和发光层之间，刻蚀P型半导体层至N型层表面形成孔洞，N电极置于孔洞内，N扩展条与N电极连接。

6.根据权利要求1~5所述的任意一种发光二极管，其特征在于：所述指状结构至少为1个以上，所述N扩展条至少为1个以上。

7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于：所述指状结构至少为2个以上，所述N扩展条至少为2个以上，所述N扩展条对应于相邻指状结构之间。

8.根据权利要求7所述的一种发光二极管，其特征在于：所述N扩展条与相邻指状结构的距离相等。

9.根据权利要求1~5所述的任意一种发光二极管，其特征在于：所述P电极和P型半导体层之间还包括透明导电层。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述衬底为平片衬底或者图形化衬底。