[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201921086090.5 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN210245504U | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 崔京京;黄玉恩;章剑锋 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触。本实用新型实施例提供的半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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