[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型实施例提供一种半导体器件。本实用新型实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触。本实用新型实施例提供的半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

肖特基二极管作为发展时间久、技术成熟的半导体器件结构，其属于一种超高速半导体器件，在能源转换领域得到广泛应用，多用作高频应用环境。提高肖特基二极管的单位面积正向导通能力表示更好的正向导通能力，使得导通能量损耗更小，从而可以提升产品能源利用效率。但是传统的对肖特基二极管的单位面积正向导通能力的提高，往往会导致反向阻断漏电流的增大。

因此，亟需一种新的改进的半导体器件。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。

第一方面，本实用新型实施例提供一种半导体器件，包括：第一电极层；衬底层，位于第一电极层上，衬底层为具有第一掺杂浓度的第一导电类型；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面，外延层为具有第二掺杂浓度的第一导电类型；阱区，为第二导电类型，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一金属层的靠近阱区区域的肖特基接触势垒高度低于其他区域的肖特基接触势垒高度。

根据本实用新型实施例的一个方面，外延层的至少部分的阱区对应设置有沟槽，对应有沟槽的阱区围绕沟槽的侧壁和底部设置在外延层内。

根据本实用新型实施例的一个方面，沟槽的开口宽度大于沟槽的底部宽度。

根据本实用新型实施例的一个方面，第二电极层还包括第二金属层，第二金属层覆盖在沟槽的侧壁和底部。

根据本实用新型实施例的一个方面，外延层的至少部分的阱区对应设置有盲孔，对应有盲孔的阱区围绕盲孔的侧壁和底部设置在外延层内。

根据本实用新型实施例的一个方面，第二电极层还包括第三金属层，第三金属层覆盖在盲孔的侧壁和底部。

根据本实用新型实施例的一个方面，沟槽的深度大于等于盲孔的深度。

根据本实用新型实施例的一个方面，相邻沟槽之间设置有一个或多个盲孔。

根据本实用新型实施例的一个方面，沟槽的开口宽度大于盲孔的开口宽度。

根据本实用新型实施例的一个方面，第二电极层还包括电连接层，第一金属层、第二金属层和第三金属层通过电连接层电连接。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一电极层与衬底层之间形成欧姆接触，第二金属层和第三金属层与对应的阱区之间对应形成欧姆接触。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度，第一导电类型与第二导电类型相反，第一导电类型为N型。

根据本实用新型实施例的半导体器件，第二电极层中的第一金属层与外延层之间形成势垒高度不同的肖特基接触，肖特基接触势垒高度较高的部分可以使半导体器件承受更高电场强度，肖特基接触势垒高度较低的部分可以减少半导体器件正向导通时的开启电压，从而提升正向导通能力，但不影响反向阻断能力。