[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一电极层(1)；

衬底层(2)，位于所述第一电极层(1)上，所述衬底层(2)为具有第一掺杂浓度的第一导电类型；

外延层(3)，位于所述衬底层(2)上并具有远离所述衬底层(2)的第一表面(30)，所述外延层(3)为具有第二掺杂浓度的第一导电类型；

阱区(4)，为第二导电类型，所述阱区(4)由所述第一表面(30)向所述外延层(3)内延伸设置，多个所述阱区(4)在所述第一表面(30)上的正投影相互间隔；

第二电极层(5)，包括设置于所述第一表面(30)上相邻所述阱区(4)之间的第一金属层(51)，所述第一金属层(51)与所述外延层(3)之间形成势垒高度不同的肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层(51)的靠近所述阱区(4)区域的肖特基接触势垒高度低于其他区域的肖特基接触势垒高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层(3)的至少部分的所述阱区(4)对应设置有沟槽(31)，对应有所述沟槽(31)的所述阱区(4)围绕所述沟槽(31)的侧壁和底部设置在所述外延层(3)内。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽(31)的开口宽度大于所述沟槽(31)的底部宽度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极层(5)还包括第二金属层(52)，所述第二金属层(52)覆盖在所述沟槽(31)的侧壁和底部。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层(3)的至少部分的所述阱区(4)对应设置有盲孔(32)，对应有所述盲孔(32)的所述阱区(4)围绕所述盲孔(32)的侧壁和底部设置在所述外延层(3)内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极层(5)还包括第三金属层(53)，所述第三金属层(53)覆盖在所述盲孔(32)的侧壁和底部。

8.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽(31)的深度大于等于所述盲孔(32)的深度。

9.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，相邻所述沟槽(31)之间设置有一个或多个所述盲孔(32)。

10.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽(31)的开口宽度大于所述盲孔(32)的开口宽度。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极层(5)还包括电连接层，所述第一金属层(51)、所述第二金属层(52)和所述第三金属层(53)通过所述电连接层电连接。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层(1)与衬底层(2)之间形成欧姆接触，所述第二金属层(52)和所述第三金属层(53)与对应的所述阱区(4)之间对应形成欧姆接触。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂浓度高于所述第二掺杂浓度，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，所述第一导电类型为N型。