[实用新型]一种高增益带宽积的光探测器有效
| 申请号： | 201921075901.1 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN210006751U | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 曾磊;王肇中 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/107 |
| 代理公司： | 42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 董婕 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高增益带宽积的光探测器，涉及光探测器技术领域，包括以下步骤：衬底、波半导体光放大器TWSOA和波导雪崩光电二极管WGAPD。所述TWSOA和WGAPD沿入射光方向间隔设置在所述衬底上。所述WGAPD与TWSOA一一对齐的设有下列层：缓冲层、第一渐变层、有源层、第二渐变层、第一功能层、第二功能层、扩散控制层和顶层。本实用新型的光探测器的增益带宽积能够达到1000GHz。 | ||
| 搜索关键词： | 光探测器 本实用新型 功能层 渐变层 衬底 半导体光放大器 雪崩光电二极管 扩散控制层 方向间隔 增益带宽 对齐 高增益 缓冲层 入射光 顶层 波导 源层 带宽 | ||
【主权项】：
1.一种高增益带宽积的光探测器，其特征在于，包括：/n衬底；/n沿入射光方向间隔设置在所述衬底上的行波半导体光放大器TWSOA和波导雪崩光电二极管WGAPD；/n所述WGAPD与TWSOA一一对齐的设有下列层：缓冲层、第一渐变层、有源层、第二渐变层、第一功能层、第二功能层、扩散控制层和顶层；/n其中：所述缓冲层为n型掺杂InP；所述第一渐变层为本征或弱n型掺杂InGaAsP；所述有源层为本征或弱n型掺杂InGaAs；所述扩散控制层为p型掺杂InGaAsP；所述顶层均为p型掺杂InP；所述WGAPD的第二渐变层、第一功能层和第二功能层分别为本征或弱n型掺杂InGaAsP、n型掺杂InP和本征或弱n型掺杂InGaAsP；所述TWSOA的第二渐变层、第一功能层和第二功能层分别为p型掺杂InGaAsP、p型掺杂InP和p型掺杂InGaAsP。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光谷量子技术有限公司，未经武汉光谷量子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201921075901.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种等离子体刻蚀夹具
- 下一篇：定位装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
