[实用新型]一种减少侧面出光的LED芯片有效
| 申请号： | 201920987790.5 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN209981263U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 潘绮琳;陆绍坚 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种减少侧面出光的LED芯片，所述LED芯片包括减薄衬底、反射层和发光结构所述减薄衬底包括正面和背面，所述发光结构设于减薄衬底的正面上，所述减薄衬底的背面设有图形凹缺部，所述图形凹缺部的刻蚀深度为减薄衬底厚度的1.3％～2.6％，所述反射层设于减薄衬底的背面和图形凹缺部上。本实用新型通过图形凹缺部和反射层的相互配合，将有源层任意出光角度的光线进行反射，反射后的光线垂直于芯片正面射出，从而减少芯片的侧面出光。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 减薄 凹缺部 反射层 背面 本实用新型 侧面出光 发光结构 反射 光线垂直 芯片正面 刻蚀 射出 源层 芯片 配合 | ||
【主权项】：
1.一种减少侧面出光的LED芯片，包括减薄衬底、反射层和发光结构，其特征在于，所述减薄衬底包括正面和背面，所述发光结构设于减薄衬底的正面上，所述减薄衬底的背面设有图形凹缺部，所述图形凹缺部的刻蚀深度为减薄衬底厚度的1.3％～2.6％，所述反射层设于减薄衬底的背面和图形凹缺部上。/n
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