[实用新型]太阳能电池有效
| 申请号: | 201920963588.9 | 申请日: | 2019-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN209729918U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
| 发明(设计)人: | 张新勇;贾晓霞 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 柴亮;张天舒<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供一种太阳能电池,属于太阳能技术领域,其可至少部分解决现有的太阳能电池的转化效率低的问题。本实用新型的一种太阳能电池,包括:基层,为第一类半导体;电场层,设于基层的一侧;第一掺杂层,其为第一类半导体,设于基层远离电场层的一侧的表面;第二掺杂层,其为第二类半导体,设于基层远离电场层的一侧的表面,第一类半导体和第二类半导体中的一者为P型半导体,另一者为N型半导体;第一电极,与第一掺杂层连接;第二电极,与第二掺杂层连接。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 掺杂层 太阳能电池 电场层 本实用新型 基层 太阳能技术领域 第二电极 第一电极 转化效率 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:/n基层,为第一类半导体;/n电场层,设于所述基层的一侧;/n第一掺杂层,其为第一类半导体,设于所述基层远离所述电场层的一侧的表面;/n第二掺杂层,其为第二类半导体,设于所述基层远离所述电场层的一侧的表面,所述第一类半导体和第二类半导体中的一者为P型半导体,另一者为N型半导体;/n第一电极,与所述第一掺杂层连接;/n第二电极,与所述第二掺杂层连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东泰高科装备科技有限公司,未经东泰高科装备科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920963588.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池片组件
- 下一篇:光电二极管以及光电转换器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





