[实用新型]热处理装置有效
申请号: | 201920804593.5 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN210378972U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 小林聪树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王海奇;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及热处理装置。提供能将基板保持件稳定地保持在保温台且能抑制热量从保温台的上方向保温台的下方散失的技术。热处理装置具备处理容器,其包括沿铅垂方向延伸的圆筒状的反应管;基板保持件,其在反应管的内部沿铅垂方向隔开间隔地保持多个基板;加热器,其从反应管的径向外侧对反应管的内部加热;盖体,其对处理容器的下端部的开口部进行开闭;及保温台,其配置在基板保持件与盖体之间,保温台具有沿铅垂方向延伸的碳化硅制的圆筒部;配置于圆筒部的径向内侧的第一隔热部;及配置于圆筒部的径向外侧的第二隔热部,第一隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔排列的多个圆盘状翅片,第二隔热部包括沿铅垂方向隔开间隔排列的多个环形盘状翅片。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201920804593.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:楼顶绿化装置
- 下一篇:一种挡板内翻式油烟机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造