[实用新型]SOI开关阵列结构

摘要

本实用新型提供一种SOI开关阵列结构，所述SOI开关阵列结构包括：SOI衬底，包括硅衬底、绝缘层以及顶硅层；开关阵列，包括形成在所述顶硅层上的呈阵列排布的多个开关晶体管；深槽隔离结构，位于任意相邻的两开关晶体管之间，以将所述开关阵列中的各个开关晶体管独立隔离，所述深槽隔离结构包括贯穿所述顶硅层的深沟槽以及填充于所述深沟槽内的隔离材料层。本实用新型可以用于多个小型的电机驱动或者多路功率输出控制，具有驱动电压低，静态功耗低，驱动效率高等优点。本实用新型采用单芯片就可以替换市场上的多个分立功率MOS的作为输出的方案。