[实用新型]半导体栅极电控量子点有效
| 申请号： | 201920622930.9 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN209896068U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;胡睿梓;王柯;张鑫;罗刚;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体栅极电控量子点，包括：衬底(101)；二氧化硅层(102)，其形成在衬底(101)上，二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)及量子点大电极(400)，离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300)，二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500)，其中，量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连；绝缘层(600)，其形成在二氧化硅层(102)上，只覆盖量子点区域，其中，量子点区域包括量子点小电极(500)、量子点大电极(400)的内部区域和离子注入区域(200)的内部区域。该半导体栅极电控量子点只保留量子点区域的氧化铝绝缘层，解决了传统硅半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 二氧化硅层 离子注入区域 大电极 小电极 半导体栅极 内部区域 衬底 电控 制备 绝缘层 硅半导体材料 欧姆接触电极 氧化铝绝缘层 空穴 电流问题 保留 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体栅极电控量子点，其特征在于，包括：/n衬底(101)；/n二氧化硅层(102)，其形成在所述衬底(101)上，所述二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)、量子点大电极(400)，所述离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300)，所述二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500)，其中，所述量子点大电极(400)与所述量子点小电极(500)相连，所述离子注入区域(200)注入有硼，离子注入的深度为二氧化硅层(102)与衬底(101)界面处朝向衬底(101)方向1～10nm；/n绝缘层(600)，其形成在所述二氧化硅层(102)上，只覆盖量子点区域，其中，所述量子点区域包括所述量子点小电极(500)、所述量子点大电极(400)的内部区域和所述离子注入区域(200)的内部区域。/n
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