[实用新型]具有新型栅极连接结构的功率模块有效
| 申请号： | 201920526152.3 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN209471963U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 熊露婧;曾正;程临颍;张玉琛 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/492 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人： | 孔祥超 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有新型栅极连接结构的功率模块。所述功率模块包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构材质由导电材质制成；所述功率模块将功率电路和栅极控制电路完全分开，减少了功率电路和栅极控制电路间的相互影响。 | ||
| 搜索关键词： | 功率模块 栅极连接 栅极控制电路 二极管芯片 功率电路 本实用新型 负极金属片 输出金属片 正极金属片 导电材质 结构材质 | ||
【主权项】：
1.一种具有新型栅极连接结构的功率模块，其特征在于，包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构由导电材质制成；第二MOSFET芯片的源极和第二二极管芯片的正极与负极金属片上侧连接，且第二MOSFET芯片的栅极伸出负极金属片的一端，未与负极金属片连接，第二MOSFET芯片的漏极和第二二极管芯片的负极与输出金属片下侧连接；第一MOSFET芯片的源极和第一二极管芯片的正极与输出金属片上侧连接，且第一MOSFET芯片的位置与第二MOSFET芯片的位置相对应，第一二极管芯片的位置与第二二极管芯片的位置相对应，且第一MOSFET芯片的栅极伸出输出金属片的一端，未与输出金属片连接，第一MOSFET芯片的漏极和第一二极管芯片的负极与正极金属片下侧连接，第一MOSFET芯片的栅极与第二MOSFET芯片的栅极通过栅极连接结构连接；栅极连接结构与输出金属片、负极金属片以及第二MOSFET芯片的漏极之间均有间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920526152.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路封装体及其注塑治具
- 下一篇：一种基于Mg2Si半导体材料的存储器
- 同类专利
- 专利分类
