[实用新型]一种半导体芯片的制造装置有效
| 申请号： | 201920370343.5 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN209708949U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王淑琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市天启星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华强*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体芯片的制造装置，其结构包括刻蚀机、刻蚀腔体，刻蚀腔体设于刻蚀机的内部，刻蚀腔体分别配合有真空泵与等离子体，在刻蚀腔体的内部安装有静电吸盘，静电吸盘包括加压器与吸附口，吸附口的外表面均匀配合有四个加压器，本实用新型在静电吸盘中配合有转向机构，打开旋转电机，利用旋转电机的转向力将吸附口旋转90°直到接触到三叉形擦拭体，将吸附口上的尘埃微粒清理掉，不需要人工清理又具有及时性减少残留。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀腔体 吸附口 静电吸盘 本实用新型 旋转电机 加压器 刻蚀机 等离子体 配合 半导体芯片 尘埃微粒 内部安装 制造装置 转向机构 擦拭体 三叉形 真空泵 转向力 残留 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的制造装置，其结构包括刻蚀机(1)、刻蚀腔体(2)，其特征在于：/n所述刻蚀腔体(2)设于刻蚀机(1)的内部，所述刻蚀腔体(2)分别配合有真空泵(21)与等离子体(23)，在所述刻蚀腔体(2)的内部安装有静电吸盘(22)，所述静电吸盘(22)包括加压器(221)与吸附口(222)，所述吸附口(222)的外表面均匀配合有四个所述加压器(221)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
