[实用新型]光传感器装置以及显示装置有效
| 申请号： | 201920347688.9 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN209471965U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 津吹将志;纲岛贵德;盐川真里奈 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种能够进行稳定的动作的、使用氧化物半导体晶体管的光传感器装置。该光传感器装置具有受光晶体管和开关晶体管。所述受光晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有3端子的氧化物半导体元件。所述开关晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有4端子的氧化物半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 光传感器装置 氧化物半导体层 氧化物半导体 开关晶体管 沟道层 晶体管 受光 氧化物半导体晶体管 本实用新型 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种光传感器装置，其特征在于，包括受光晶体管和开关晶体管，所述受光晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有3端子的氧化物半导体元件，所述开关晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有4端子的氧化物半导体元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
