[实用新型]一种TFT自容式触控阵列基板有效
| 申请号: | 201920327771.X | 申请日: | 2019-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN209641657U | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/041 |
| 代理公司: | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 徐剑兵;林祥翔<国际申请>=<国际公布> |
| 地址: | 351100福*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT自容式触控阵列基板,所述TFT自容式触控阵列基板将第一金属层设置成第一栅极和触控走线区域,复用晶体管的第一金属层作为触控走线,并且在所述层间绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和平坦层的竖直方向的对应位置设置有过孔,通过过孔方式将触控电极与第一金属层的触控走线搭接,实现自容式触控。通过上述结构设置,大大简化了TFT阵列基板的结构,并且在生产过程中可以简化制作流程,大大降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词: | 触控 第一金属层 阵列基板 钝化层 走线 简化制作流程 本实用新型 层间绝缘层 触控电极 结构设置 生产过程 走线区域 晶体管 搭接 复用 竖直 | ||
【主权项】:
1.一种TFT自容式触控阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板包括基板以及依次设置于所述基板上的栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层、第二金属层、第一钝化层、有源层、第三金属层、第二钝化层、平坦层、触控电极和像素电极;/n所述第一金属层包括第一栅极和触控走线区域;/n所述第二金属层包括第一源漏极区域和第二栅极,所述第一源漏极区域形成源极的漏级;/n所述第三金属层包括第二源漏极区域,所述第二源漏极区域形成源极和漏极,所述源极与漏极之间的有源层为沟道区域;/n所述像素电极与第二源漏极区域搭接;/n所述层间绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和平坦层在竖直方向的对应位置均设置有过孔,所述触控电极通过所述过孔与第一金属层的触控走线区域搭接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





