[实用新型]一种TFT自容式触控阵列基板有效

专利信息
申请号: 201920327771.X 申请日: 2019-03-15
公开(公告)号: CN209641657U 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G06F3/041
代理公司: 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 徐剑兵;林祥翔<国际申请>=<国际公布>
地址: 351100福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT自容式触控阵列基板,所述TFT自容式触控阵列基板将第一金属层设置成第一栅极和触控走线区域,复用晶体管的第一金属层作为触控走线,并且在所述层间绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和平坦层的竖直方向的对应位置设置有过孔,通过过孔方式将触控电极与第一金属层的触控走线搭接,实现自容式触控。通过上述结构设置,大大简化了TFT阵列基板的结构,并且在生产过程中可以简化制作流程,大大降低生产成本。
搜索关键词: 触控 第一金属层 阵列基板 钝化层 走线 简化制作流程 本实用新型 层间绝缘层 触控电极 结构设置 生产过程 走线区域 晶体管 搭接 复用 竖直
【主权项】:
1.一种TFT自容式触控阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板包括基板以及依次设置于所述基板上的栅极绝缘层、第一金属层、层间绝缘层、第二金属层、第一钝化层、有源层、第三金属层、第二钝化层、平坦层、触控电极和像素电极;/n所述第一金属层包括第一栅极和触控走线区域;/n所述第二金属层包括第一源漏极区域和第二栅极,所述第一源漏极区域形成源极的漏级;/n所述第三金属层包括第二源漏极区域,所述第二源漏极区域形成源极和漏极,所述源极与漏极之间的有源层为沟道区域;/n所述像素电极与第二源漏极区域搭接;/n所述层间绝缘层、第一钝化层、第二钝化层和平坦层在竖直方向的对应位置均设置有过孔,所述触控电极通过所述过孔与第一金属层的触控走线区域搭接。/n
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