[实用新型]一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置有效
| 申请号： | 201920282290.1 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN209602663U | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;袁文博;范国锋 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 桑林艳 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型属于碳化硅材料加工技术领域，具体涉及一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，是针对现有碳化硅晶体生长过程中旋转坩埚会导致温度场分布不均匀所提出的，其包括旋转装置和升降装置，旋转装置和升降装置位于生长腔的外部，所述旋转装置与套设在生长腔外部的感应线圈的顶端连接，且旋转装置通过环形法兰带动感应线圈在生长腔的外部进行旋转，所述升降装置通过连接杆与旋转装置连接，且升降装置可带动旋转装置与感应线圈同步上下运动。本实用新型通过感应线圈旋转和升降的方法来调整温场，实现温场分布均匀，可以得到对称性好、缺陷少、质量好的碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转装置 碳化硅晶体 感应线圈 升降装置 生长过程 生长腔 本实用新型 场分布 温场 中温 外部 加工技术领域 同步上下运动 碳化硅材料 温度场分布 带动旋转 顶端连接 环形法兰 旋转坩埚 不均匀 连接杆 升降 | ||
【主权项】：
1.一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，其特征在于，包括旋转装置(7)和升降装置(8)，旋转装置(7)和升降装置(8)位于生长腔(10)的外部，所述旋转装置(7)与套设在生长腔(10)外部的感应线圈(4)的顶端连接，且旋转装置(7)通过环形法兰(5)带动感应线圈(4)在生长腔(10)的外部进行旋转，所述升降装置(8)通过连接杆(9)与旋转装置(7)连接，且升降装置(8)带动旋转装置(7)与感应线圈(4)同步上下运动。
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