[实用新型]一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置有效
| 申请号： | 201920282290.1 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN209602663U | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 赵丽丽;袁文博;范国锋 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 桑林艳 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 旋转装置 碳化硅晶体 感应线圈 升降装置 生长过程 生长腔 本实用新型 场分布 温场 中温 外部 加工技术领域 同步上下运动 碳化硅材料 温度场分布 带动旋转 顶端连接 环形法兰 旋转坩埚 不均匀 连接杆 升降 | ||
1.一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，其特征在于，包括旋转装置(7)和升降装置(8)，旋转装置(7)和升降装置(8)位于生长腔(10)的外部，所述旋转装置(7)与套设在生长腔(10)外部的感应线圈(4)的顶端连接，且旋转装置(7)通过环形法兰(5)带动感应线圈(4)在生长腔(10)的外部进行旋转，所述升降装置(8)通过连接杆(9)与旋转装置(7)连接，且升降装置(8)带动旋转装置(7)与感应线圈(4)同步上下运动。
2.如权利要求1所述的一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，其特征在于：所述旋转装置(7)为旋转电机，旋转电机的输出端通过传动轴(6)与环形法兰(5)固定连接，且旋转电机的输出端与环形法兰(5)同心设置。
3.如权利要求1所述的一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，其特征在于：所述升降装置(8)包括固定支架(801)和升降电机(802)，所述固定支架(801)包括两个立杆，两个立杆分别位于生长腔(10)的两侧，在每个立杆上分别套设有上下滑动的套管(803)，且每个套管(803)与连接杆(9)的一端固定连接，所述升降电机(802)为两个，每个升降电机(802)的输出端均通过一个固定螺母(804)与一个套管(803)固定连接。
4.如权利要求1至3任一所述的一种调整碳化硅晶体生长过程中温场分布的装置，其特征在于：所述感应线圈(4)的高度大于生长腔(10)的高度。
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