[实用新型]电阻式碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201920252646.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN209974966U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 戚祖强 | 申请（专利权）人： | 戚祖强 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 44343 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王杰辉;梁悄 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电阻式碳化硅晶体生长装置，包括真空腔室、反应装置和加热装置，所述反应装置和所述加热装置设于所述真空腔室的内部；所述加热装置设于所述反应装置的外侧；所述加热装置包括给所述反应装置的侧壁加热的侧壁加热部，以及给所述反应装置的底部加热的底部加热部。通过在反应装置底部设置底部加热部对其底部进行加热，而后保证碳化硅粉的边缘与中心区域的温度相差不大，减小碳化硅粉在径向上的温度梯度，使晶体生长过程碳化硅粉在径向方向的升华速率可以保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 反应装置 加热装置 底部加热 碳化硅粉 侧壁加热 真空腔室 晶体生长过程 本实用新型 碳化硅晶体 生长装置 温度梯度 中心区域 电阻式 减小 加热 升华 保证 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括真空腔室、反应装置和加热装置，所述反应装置和所述加热装置设于所述真空腔室的内部；所述加热装置设于所述反应装置的外侧；/n所述加热装置包括给所述反应装置的侧壁加热的侧壁加热部，以及给所述反应装置的底部加热的底部加热部。/n
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