[实用新型]电阻式碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201920252646.7 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN209974966U | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 戚祖强 | 申请（专利权）人： | 戚祖强 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 44343 深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王杰辉;梁悄 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应装置 加热装置 底部加热 碳化硅粉 侧壁加热 真空腔室 晶体生长过程 本实用新型 碳化硅晶体 生长装置 温度梯度 中心区域 电阻式 减小 加热 升华 保证 | ||
1.一种电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括真空腔室、反应装置和加热装置，所述反应装置和所述加热装置设于所述真空腔室的内部；所述加热装置设于所述反应装置的外侧；
所述加热装置包括给所述反应装置的侧壁加热的侧壁加热部，以及给所述反应装置的底部加热的底部加热部。
2.根据权利要求1所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置包括正电极板、负电极板以及若干加热电阻丝；
所述正电极板和负电极板设置在所述反应装置上方的外侧；
所述加热电阻丝的一端连接所述正电极板，另一端连接所述负电极板；
所述加热电阻丝呈U形设置，U形的所述加热电阻丝的两个侧边沿所述反应装置的侧壁设置形成所述侧壁加热部，U形的所述加热电阻丝的底边沿所述反应装置的底部设置形成所述底部加热部。
3.根据权利要求2所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，U型的所述加热电阻丝平行设置。
4.根据权利要求2所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，U型的所述加热电阻丝的底边交叉设置。
5.根据权利要求1所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置包括正电极板、负电极板以及若干加热电阻丝；
所述正电极板和负电极板分别设置在所述反应装置的上端和下端；
部分所述加热电阻丝的一端连接所述正电极板后，直接沿着所述反应装置的轴向连接于所述负电极板，形成所述侧壁加热部；
另一部分所述加热电阻丝一端连接所述正电极板后，另一端在所述反应装置的底部按照预设形状延伸形成所述底部加热部后，连接于所述负电极板。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述侧壁加热部与所述底部加热部形成的朝向所述反应装置的夹角为90°-100°。
7.根据权利要求1所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述反应装置的下端还连接有支撑架；
所述支撑架包括支柱和托板，所述支柱从所述底部加热部之间的缝隙穿过连接所述托板，所述托板设于所述反应装置的底部。
8.根据权利要求1所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述真空腔室内设有保温石墨毡，所述保温石墨毡设有多个，分别分布设置在所述侧壁加热部的侧端、底部加热部的下端和反应装置的上端。
9.根据权利要求1所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，还包括抽真空管道，所述抽真空管道贯穿连接于所述真空腔室的一侧。
10.根据权利要求1所述的电阻式碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述真空腔室的顶部和底部分别设有上测温孔和下测温孔。
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