[实用新型]功率晶体管装置有效
| 申请号： | 201920242396.9 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209487515U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫;陈志宏 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 李小波;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种功率晶体管装置包括：基底、掺杂区、栅极结构、第一导电插塞以及多个第二导电插塞。基底具有沟槽。掺杂区位于沟槽两侧的基底中。栅极结构位于沟槽中。第一导电插塞位于栅极结构中。第一导电插塞的电阻值低于栅极结构的电阻值。第二导电插塞分别位于掺杂区中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电插塞 栅极结构 掺杂区 基底 功率晶体管装置 电阻 本实用新型 | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管装置，其特征在于，包括：基底，具有沟槽；掺杂区，位于所述沟槽两侧的所述基底中；栅极结构，位于所述沟槽中；第一导电插塞，位于所述栅极结构中，其中所述第一导电插塞的电阻值低于所述栅极结构的电阻值；以及多个第二导电插塞，分别位于所述掺杂区中。
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