[实用新型]化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201920153423.5 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN209584367U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;彭海琳;高翾;张金灿;刘晓婷;马瑞;李广亮;孙禄钊;贾开诚 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院;北京大学 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/458;C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种化学气相沉积装置，用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。 | ||
| 搜索关键词： | 第二腔室 第一腔室 过渡腔室 底盘 化学气相沉积装置 薄膜材料 传送机构 传送 本实用新型 后处理 生长 隔离件 衬底 制备 连通 装载 配置 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积装置，用于制备薄膜材料，其特征在于，包括：第一腔室；第二腔室，所述第一腔室和所述第二腔室用于所述薄膜材料的生长或后处理；过渡腔室，通过隔离件分别连通于所述第一腔室和所述第二腔室；底盘，用于装载生长衬底；以及传送机构，被配置为在所述第一腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘，以及在所述第二腔室和所述过渡腔室之间传送所述底盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京石墨烯研究院;北京大学，未经北京石墨烯研究院;北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920153423.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
