[实用新型]半导体电子器件有效
| 申请号： | 201920057398.0 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN209496879U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | D·G·帕蒂;M·萨姆比;F·F·R·托亚;S·D·马里亚尼;E·皮兹;G·巴里拉罗 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体电子器件。半导体电子器件包括：半导体本体；在半导体本体中的体区；在体区中的源极端子；与源极区域空间相对的漏极端子；以及穿过体区和源极区域延伸深入半导体本体的沟槽栅极。沟槽栅极包括掩埋在半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及延伸在多孔氧化硅的电介质区域和第一侧之间的栅极导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体本体 半导体电子器件 体区 电介质区域 多孔氧化硅 沟槽栅极 源极区域 栅极导电区域 漏极端子 源极端子 延伸 掩埋 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电子器件，其特征在于，包括：半导体本体，具有第一导电类型并且具有沿着轴线彼此相对的第一侧和第二侧；本体区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，在所述半导体本体中面对所述第一侧；源极端子，具有所述第一导电类型，在所述本体区中至少部分地延伸；漏极端子，具有所述第一导电类型，在所述半导体本体的所述第二侧处延伸；以及沟槽栅极，其在所述半导体本体中从所述第一侧朝向所述第二侧延伸，穿过所述本体区和所述源极端子，所述沟槽栅极包括被掩埋在所述半导体本体中的多孔氧化硅的电介质区域，以及在所述多孔氧化硅的电介质区域与所述第一侧之间延伸的栅极导电区域。
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