[实用新型]具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器

摘要

本实用新型提供一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，是将n型接触金属层以及磊晶结构分别形成于化合物半导体基板的一下表面以及一上表面。磊晶结构包括一单一分散式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层。单一分散式布拉格反射器组是一n型分散式布拉格反射器组。主动层形成于单一分散式布拉格反射器组之上。电流局限层形成于主动层之上。电流局限层包括一外围氧化电流局限区以及一中央未氧化开口区。p型接触金属反射层形成于磊晶结构之上且与磊晶结构相接触。其中单一分散式布拉格反射器组以及p型接触金属反射层分别为垂直共振腔面射型激光器在主动层之下以及之上的一n型反射结构以及一p型反射结构。

主权项

1.一种具有单一分散式布拉格反射器组的垂直共振腔面射型激光器，其特征在于，包括：一化合物半导体基板，其中该化合物半导体基板具有一上表面以及一下表面；一n型接触金属层，形成于该化合物半导体基板的该下表面之上；一磊晶结构，形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，其中该磊晶结构包括一单一分散式布拉格反射器组、一主动层以及一上电流局限层，其中：该单一分散式布拉格反射器组形成于该化合物半导体基板的该上表面之上，其中该单一分散式布拉格反射器组是一n型分散式布拉格反射器组；该主动层形成于该单一分散式布拉格反射器组之上；该上电流局限层形成于该主动层之上，其中该上电流局限层包括一上外围氧化电流局限区以及一上中央未氧化开口区；以及一p型接触金属反射层，形成于该磊晶结构的该上电流局限层之上，且该p型接触金属反射层与该磊晶结构相接触，其中该单一分散式布拉格反射器组是该垂直共振腔面射型激光器在该主动层之下的一n型反射结构，其中该p型接触金属反射层是该垂直共振腔面射型激光器在该主动层之上的一p型反射结构。